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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q1106 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | DBM13W3S |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器2k刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 41/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1106 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
40
16. Random Column Read (Page within same Bank)
16.1 CAS Latency = 2
Ay1
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Activate
Command
Bank A
Z
Hi
RAw
RAw
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
Read
Aw0 Aw1
CAw
CAx
Read
Command
Bank A
Aw3
Aw2
Ax0
Ax1 Ay0
CAy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Precharge
Command
Bank A
Ay2
Ay3
Activate
Command
Bank A
RAz
RAz
SPT03921
Read
Command
Bank A
CAz
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
Az3
Az0
Az1 Az2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1107 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1109 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1119 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1120 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1107 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1108 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k Refresh |
| Q67100-Q1109 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1119 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1120 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
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