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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2066 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 200萬× 32位動態(tài)隨機(jī)存儲器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 24/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2066 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
23
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Intrerval
4.1 Read to Write Interval
SPT03713
CLK
Read A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1 DOUT B2
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
latency = 2
, DQ’s
CK2
t
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
Read B
DOUT B3
DOUT B1
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B3
DOUT B2
Commands = 4 + 1 = 5 cycles
Minimum delay between the Read and Write
DOUT A0
DQ’s
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)
DQMx
Command
CLK
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DIN B0
DIN B1
SPT03787
DIN B2
DQW
NOP
DQZ
t
NOP
t
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
Write latency
of DQMx
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2149 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
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| Q67100-Q2157 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2177 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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