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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2066 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| 中文描述： | 200萬× 32位動態(tài)隨機(jī)存儲器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 38/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2066 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
37
13. Power Down Mode and Clock Suspend
BS
Clock Suspend
Mode Exit
Clock Suspend
Mode Entry
Addr.
DQM
DQ
AP
Standby
Active
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Read
Command
Bank A
RAx
RAx
CAx
Power Down
Mode Entry
Power Down
Mode Exit
SPT03918
End
Clock Mask
Clock Mask
Start
Ax0
Ax1
Ax2
Precharge
Command
Bank A
Ax3
t
HZ
Precharge
Standby
Any
Command
T7
CAS
WE
RAS
CS
CKE
CLK
CK2
t
T0
T1
T2
CKS
t
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
CKS
t
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2149 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2177 | 3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2067 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2068 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2069 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Q67100-Q2072 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| Q67100-Q2073 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256k x 16-Bit EDO-DRAM |
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