參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q2148
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
中文描述： 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM 3.3V的256畝× 16位江戶與DRAM的低功率版本自刷新
文件頁(yè)數(shù)： 5/53頁(yè)
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代理商： Q67100-Q2148
HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
5
12.99
Block Diagram: 4 Bank
×
2M
×
8 SDRAM
SPB03697
Memory
Array
Bank 0
4096 x 512
x 8 Bit
C
S
Row Decoder
C
Bank 1
Array
Memory
Row Decoder
C
Bank 2
Array
Memory
Row Decoder
C
Bank 3
Array
Memory
Row Decoder
Counter
Column Address
Column Address
Buffer
A0 - A8, AP, BA0, BA1
Column Addresses
Row Address
Buffer
A0 - A11, BA0, BA1
Row Addresses
Refresh Counter
DQ0 - DQ7
Input Buffer
Output Buffer
Timing Generator
Control Logic &
C
C
C
R
C
W
D
4096 x 512
x 8 Bit
4096 x 512
x 8 Bit
4096 x 512
x 8 Bit
S
S
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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Q67100-Q2367 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
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參數(shù)描述
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