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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2148 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| 中文描述： | 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM 3.3V的256畝× 16位江戶與DRAM的低功率版本自刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 6/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2148 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
6
12.99
Block Diagram: 4 Bank
×
1M
×
16 SDRAM
Memory
Array
Bank 1
4096 x 256
x 16 Bit
Memory
Array
Bank 2
4096 x 256
x 16 Bit
Memory
Array
Bank 3
4096 x 256
x 16 Bit
SPB04120
Column Address
Counter
Row
Decoder
Memory
Array
Bank 0
4096 x 256
x 16 Bit
C
S
Row
Decoder
S
Row
Decoder
Row
Decoder
C
S
Row Address
Buffer
Column Address
Buffer
Refresh Counter
S
A0 - A11,
BA0, BA1
A0 - A7, AP,
BA0, BA1
Column Addresses
Row Addresses
Input Buffer
Output Buffer
DQ0 - DQ15
Control Logic &
Timing Generator
C
C
C
R
C
W
D
D
C
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2246 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q518 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2149 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2177 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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