參數(shù)資料
型號: QM20TG9B
英文描述: TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 20A I(C)
中文描述: 晶體管|晶體管電源模塊| 3 - PH值大橋|達林頓| 450V五(巴西)總裁|甲一(c)
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代理商: QM20TG9B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QM1600S ASIC
QM200DY-24B HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM200DY-2HB CAP, 10UF, CER, ?20%, Y5V, 10V, 1206
QM200DY-2H CAP CER 10UF 10V Y5V 1206
QM200DY24 TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C)
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參數(shù)描述
QM20TG-9B 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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QM2421K 制造商:UBIQ 功能描述:
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