型號(hào): | QM20TG9B |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 20A I(C) |
中文描述: | 晶體管|晶體管電源模塊| 3 - PH值大橋|達(dá)林頓| 450V五(巴西)總裁|甲一(c) |
文件頁數(shù): | 4/6頁 |
文件大小: | 524K |
代理商: | QM20TG9B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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QM1600S | ASIC |
QM200DY-24B | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
QM200DY-2HB | CAP, 10UF, CER, ?20%, Y5V, 10V, 1206 |
QM200DY-2H | CAP CER 10UF 10V Y5V 1206 |
QM200DY24 | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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QM20TG-9B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
QM2409K | 制造商:UBIQ 功能描述: |
QM2410K | 制造商:UBIQ 功能描述: |
QM2421K | 制造商:UBIQ 功能描述: |
QM2423K | 制造商:UBIQ 功能描述: |