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參數(shù)資料
| 型號： | QSD123 |
| 廠商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | QSD123 |
DS300361
7/20/01
3 OF 4
www.fairchildsemi.com
Figure 1. Light Current vs. Radiant Intensity
Figure 3. Dark Current vs. Collector - Emitter Voltage
Figure 5. Dark Current vs. Ambient Temperature
Figure 2. Angular Response Curve
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
Figure 4. Light Current vs. Collector - Emitter Voltage
V
CE
- Collector-Emitter Voltage (V)
0.1
1
10
I
L
-
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
E
e
- Radiant Intensity (mW/cm
2
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
C
-
0.1
1
10
100
Normalized to:
V
CE
= 5V
Ie = 0.5mW/cm
T
A
= 25
o
C
2
Ie=0.1mW/cm
2
Ie=0.2mW/cm
2
Ie=0.5mW/cm
2
Ie=1mW/cm
2
T
A
- Ambient Temperature (
o
C)
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
C
-
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
V
CE
=25V
V
CE
=10V
Normalized to:
V
CE
= 25V
T
A
= 25
o
C
V
CE
- Collector-Emitter Voltage (V)
0
5
10
15
20
25
30
I
C
-
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
PLASTIC SILICON INFRARED
PHOTOTRANSISTOR
QSD122
QSD123
QSD124
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSD124 | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| QSD122 | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| QSD128 | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| QSD2030F | Plastic Silicon Photodiode |
| QSD2030 | PLASTIC SILICON PHOTODIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QSD123_Q | 功能描述:光電晶體管 4mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD123A4R0 | 功能描述:光電晶體管 Phototrans IR Chip NPN Transistor 880nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD124 | 功能描述:光電晶體管 6mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD124_Q | 功能描述:光電晶體管 6mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD124A4R0 | 功能描述:光電晶體管 QSD124 T-R RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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