參數(shù)資料
型號： QSD124
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光敏三極管
英文描述： PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： QSD124
DS300361
7/20/01
3 OF 4
www.fairchildsemi.com
Figure 1. Light Current vs. Radiant Intensity
Figure 3. Dark Current vs. Collector - Emitter Voltage
Figure 5. Dark Current vs. Ambient Temperature
Figure 2. Angular Response Curve
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
Figure 4. Light Current vs. Collector - Emitter Voltage
V
CE
- Collector-Emitter Voltage (V)
0.1
1
10
I
L
-
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
E
e
- Radiant Intensity (mW/cm
2
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
C
-
0.1
1
10
100
Normalized to:
V
CE
= 5V
Ie = 0.5mW/cm
T
A
= 25
o
C
2
Ie=0.1mW/cm
2
Ie=0.2mW/cm
2
Ie=0.5mW/cm
2
Ie=1mW/cm
2
T
A
- Ambient Temperature (
o
C)
-40
-20
0
20
40
60
80
100
I
C
-
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
V
CE
=25V
V
CE
=10V
Normalized to:
V
CE
= 25V
T
A
= 25
o
C
V
CE
- Collector-Emitter Voltage (V)
0
5
10
15
20
25
30
I
C
-
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
PLASTIC SILICON INFRARED
PHOTOTRANSISTOR
QSD122
QSD123
QSD124
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QSD122 PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSD123 PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSD123 PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
QSD124 PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
QSD122 PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
QSD124_Q 功能描述:光電晶體管 6mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSD124A4R0 功能描述:光電晶體管 QSD124 T-R RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1
QSD128 功能描述:IC PHOTOTRANS IR 880NM BLACK 5MM RoHS:是 類別:傳感器，轉(zhuǎn)換器 >> 光學(xué) - 光電檢測器 - 光電晶體管 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1mA 電流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波長:880nm 視角:24° 功率 - 最大:100mW 安裝類型:通孔 方向:頂視圖 封裝/外殼:徑向
QSD2030 功能描述:光電二極管 T-1 3- 4 SENSOR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Photodiodes 反向電壓:10 V 最大暗電流:30 nA 峰值波長:565 nm 上升時間:3.1 us 下降時間:3 us 半強(qiáng)度角度:50 deg 封裝 / 箱體:TO-5
QSD2030_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Plastic Silicon Photodiode
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