參數(shù)資料
型號: R5F5630EDDFC#V0
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數(shù): 36/165頁
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描述: MCU RX630 2MB FLASH 176-LQFP
產(chǎn)品培訓模塊: RX Compare Match Timer
RX DMAC
標準包裝: 1
系列: RX600
核心處理器: RX
芯體尺寸: 32-位
速度: 100MHz
連通性: CAN,EBI/EMI,I²C,LIN,SCI,SPI,USB
外圍設備: DMA,LVD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 148
程序存儲器容量: 2MB(2M x 8)
程序存儲器類型: 閃存
RAM 容量: 128K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 2.7 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉換器: A/D 8x10b,21x12b,D/A 2x10b
振蕩器型: 內部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 176-LQFP
包裝: 托盤
R01DS0060EJ0100 Rev.1.00
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Sep 13, 2011
RX630 Group
5. Electrical Characteristics
5.4.4
Bus Timing
Table 5.14
Bus Timing
Conditions: VCC = AVCC0 = VCC_USB = 2.7 to 3.6 V, VREFH/VREFH0 = 2.7 V to AVCC0,
VSS = AVSS0 = VREFL/VREFL0 = VSS_USB = 0 V,
ICLK = 8 to 100 MHz, BCLK = 8 to 50 MHz, Ta = Topr
Output load conditions: VOH = VCC × 0.5, VOL = VCC × 0.5, IOH = -1.0 mA, IOL = 1.0 mA, C = 30 pF
High drive output is selected by the drive capacity control register.
Item
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Address delay time
tAD
20
ns
Byte control delay time
tBCD
—20
ns
CS# delay time
tCSD
—20
ns
ALE delay time
tALED
—20
ns
RD# delay time
tRSD
—20
ns
Read data setup time
tRDS
10
ns
Read data hold time
tRDH
0—
ns
WR# delay time
tWRD
—20
ns
Write data delay time
tWDD
—20
ns
Write data hold time
tWDH
0—
ns
WAIT# setup time
tWTS
15
ns
WAIT# hold time
tWTH
0—
ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
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