參數(shù)資料
型號(hào): RF1S25N06SM9A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直|第25A條(?。﹟對(duì)263AB
文件頁數(shù): 6/8頁
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代理商: RF1S25N06SM9A
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Rev. C
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORM
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RF1S30P05SM9A TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
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RF1S530SM TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB
RF1S530SM9A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB
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參數(shù)描述
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