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參數資料
| 型號： | RF1S40N10LESM9A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 40A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 244K |
| 代理商： | RF1S40N10LESM9A |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RF1S530SM | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB |
| RF1S530SM9A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB |
| RF1S540SM | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-263AB |
| RF1S540SM9A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-263AB |
| RF1S60P03SM9A | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| RF1S40N10SM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RF1S40N10SM9A | 功能描述:MOSFET USE 512-FDB3682 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| RF1S42N03L | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| RF1S42N03LSM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| RF1S45N02L | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
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