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參數(shù)資料
| 型號： | RF1S540SM |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 100V的五（巴西）直| 28A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | RF1S540SM |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
RF1S530SM Rev. A
FIGURE 17. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 18. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
g(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
G(REF)
0
RF1S530SM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RF1S540SM9A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-263AB |
| RF1S60P03SM9A | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB |
| RF1S630SM9A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
| RF1S640SM9A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| RF1S644 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-262AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RF1S540SM9A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-263AB |
| RF1S60P03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60A, 30V, Avalanche Rated, P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
| RF1S60P03SM | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:60A, 30V, 0.027 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| RF1S60P03SM9A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-263AB |
| RF1S630 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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