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參數(shù)資料
| 型號： | RFD16N02 |
| 廠商： | Intersil Corporation |
| 英文描述： | 16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET |
| 中文描述： | 第16A，20V的，0.022 Ohm的N通道，邏輯層次，功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | RFD16N02 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD16N05 | 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD16N05SM | 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD16N06 | 16A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| RFD16N06SM | 16A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| RFD16N03 | 16A, 30V, Avalanche Rated N-Channel Logic Level Enhancement-Mode Power MOSFETs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RFD16N02L | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD16N02LSM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD16N03 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD16N03L | 功能描述:MOSFET TO-251 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| RFD16N03LSM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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