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參數(shù)資料
| 型號： | RFD16N03LSM9A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 16A條（?。﹟對252AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | RFD16N03LSM9A |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFD16N05LSM9A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-252AA |
| RFD16N10 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-251AA |
| RFD16N10SM | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-252AA |
| RFD16N03 | 16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD16N02 | 16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RFD16N03LSM9AR4610 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD16N05 | 功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| RFD16N05 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N I-PAK |
| RFD16N05_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| RFD16N05_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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