參數(shù)資料
型號(hào)： RFP8N20L
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
中文描述： N溝道邏輯電平電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 38K
代理商： RFP8N20L
6-281
FIGURE 7. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 8. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 9. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 10. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 11. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.1
0.9
0.7
-50
0
50
100
150
T
C
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
N
0.5
0.6
0.8
1.0
1.2
1.3
T
0
10
V
DS,
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
30
40
50
C
800
700
300
200
100
0
400
500
600
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
200
150
100
50
0
10
8
6
4
0
2
GATE
SOURCE
VOLTAGE
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
I
G(REF)
I
G(ACT)
V
DD
= BV
DSS
BV
DSS
R
L
= 25
I
G(REF)
= 0.45mA
V
GS
= 5V
V
G
20
80
DRAIN SOURCE VOLTAGE
I
G(REF)
I
G(ACT)
V
D
V
DD
= BV
DSS
t, TIME (
μ
s)
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
RFP8N20L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFP8N20L 8A, 200V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
RFSET1D126P DIAMANTENLOCHFEILEN SATZ 5TLG
RFT3100-1 Analog IC
RFT3100-2 Analog IC
RFT3100-3 Analog IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RFP8P05 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFP8P06E 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFP8P06LE 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RFP8P08 制造商:Harris Corporation 功能描述:MOSFET Transistor, P-Channel, TO-220AB
RFP8P10 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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