參數(shù)資料
型號： RG4BC10UD
英文描述： TRANSISTOR IGBT CO-PACK
中文描述： 晶體管IGBT的統(tǒng)籌包裝
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 191K
代理商： RG4BC10UD
IRG4BC10UD
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt,
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
d
Q
I
t
20
25
30
35
40
45
50
100
1000
dif
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
0
2
4
6
8
10
12
14
100
1000
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
di /dt - (A/μs)
0
40
80
120
160
200
100
1000
di /dt - (A/μs)
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
100
1000
100
1000
di /dt - (A/μs)
A
I = 8.0A
I = 4.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
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參數(shù)描述
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RG4C 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:ICSUB: FML-G16S
RG4CZ 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
RG4D 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Vishay Semiconductors
RG4D-E3/54 功能描述:整流器 3.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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