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STB35N60DM2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STB35N60DM2
    STB35N60DM2

    STB35N60DM2

    現(xiàn)貨
  • 上海航霆電子技術(shù)有限公司
    上海航霆電子技術(shù)有限公司

    聯(lián)系人:林生18701789587

    電話:0755-8374259418701789587

    地址:上海徐匯區(qū)漕溪路222號航天大廈16層

  • 10000

  • STM

  • SOP

  • 19+/20+

  • -
  • 全新原廠原裝正品,只做原裝,可開增票

  • STB35N60DM2
    STB35N60DM2

    STB35N60DM2

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-82788062

    地址:華強北都會軒4507

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • ST/意法

  • NA

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢供應(yīng) 品質(zhì)保障 可開13點發(fā)票

  • STB35N60DM2
    STB35N60DM2

    STB35N60DM2

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • ST

  • TO-263-3

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • STB35N60DM2
    STB35N60DM2

    STB35N60DM2

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • STM

  • TO-263-3 (D2PAK)

  • 19+/20+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • STB35N60DM2
    STB35N60DM2

    STB35N60DM2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • STB35N60DM2
    STB35N60DM2

    STB35N60DM2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 73554

  • ST/意法

  • NA

  • 22+

  • -
  • 18萬條庫存,一站式配齊

  • STB35N60DM2
    STB35N60DM2

    STB35N60DM2

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 10

  • STMICROELECTRONICS

  • C02-集成電路(IC)

  • 2048

  • -
  • STB35N60DM2
    STB35N60DM2

    STB35N60DM2

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18320850923

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室

  • 10000

  • STM

  • TO-263-3 (D2PAK)

  • 19+/20+

  • -
  • 只做原裝,型號齊全,價格優(yōu)惠。

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
STB35N60DM2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 28A
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? DM2
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 28A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 110 毫歐 @ 14A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 54nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 2400pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 210W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D2PAK
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
STB35N60DM2 技術(shù)參數(shù)
  • STB34NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB34NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2722pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB34N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):62.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2700pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB34N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,MDmesh? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 12.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1850pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB33N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):41.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1790pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB40100CTR STB4045CTR STB4080CTR STB40N20 STB40N60M2 STB40NF10LT4 STB40NF10T4 STB40NF20 STB40NS15T4 STB42N60M2-EP STB42N65M5 STB43N60DM2 STB43N65M5 STB45N40DM2AG STB45N50DM2AG STB45N60DM2AG STB45N65M5 STB45NF06
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