STGB10NB40LZT4

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功能描述
IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGB10NB40LZT4 技術(shù)參數(shù)

STGB10NB37LZT4 功能描述:IGBT 440V 20A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:440V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值:125W 開關(guān)能量:2.4mJ（開），5mJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:28nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:1.3μs/8μs 測試條件:328V，10A，1 千歐，5V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB10NB37LZ 功能描述:IGBT 440V 20A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:440V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值:125W 開關(guān)能量:2.4mJ（開），5mJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:28nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:1.3μs/8μs 測試條件:328V，10A，1 千歐，5V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 STGB10M65DF2 功能描述:IGBT 650V 10A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:115W 開關(guān)能量:120μJ（開），270μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:28nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:19ns/91ns 測試條件:400V，10A，22 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:96ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB10H60DF 功能描述:IGBT 600V 20A 115W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，10A 功率 - 最大值:115W 開關(guān)能量:83μJ（開），140μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:57nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:19.5ns/103ns 測試條件:400V，10A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:107ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGAP1STR 功能描述:Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 1 Channel 24-SO 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q100，gapDRIVE? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期技術(shù):容性耦合通道數(shù):1 電壓 - 隔離:2500Vrms 共模瞬態(tài)抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:130ns，130ns 脈寬失真（最大）:10ns 上升/下降時間（典型值）:25ns，25ns（最大）電流 - 輸出高，低:2.5A，2.5A 電流 - 峰值輸出:- 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電流 - DC 正向（If）:- 電壓 - 電源:4.5 V ~ 36 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:24-SO 認可:UL 標準包裝:1 STGB18N40LZ-1 STGB18N40LZT4 STGB19NC60HDT4 STGB19NC60KDT4 STGB19NC60KT4 STGB19NC60WT4 STGB20H60DF STGB20M65DF2 STGB20N40LZ STGB20N45LZAG STGB20NB32LZ STGB20NB37LZ STGB20NB37LZT4 STGB20NB41LZT4 STGB20NC60V STGB20NC60VT4 STGB20V60DF STGB20V60F