您好,歡迎來(lái)到買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
您現(xiàn)在的位置:買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > S字母型號(hào)搜索 > S字母第6067頁(yè) >

STGB20NB32LZ

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
STGB20NB32LZ PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT N-CH CLAMP 2V 20A I2PAK
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
  • 系列
  • PowerMESH™
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類(lèi)型
  • PT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 1200V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi))
  • 3V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 輸入類(lèi)型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PLUS247?-3
  • 包裝
  • 管件
STGB20NB32LZ 技術(shù)參數(shù)
  • STGB20N45LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車(chē)級(jí),AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.25V @ 4V,6A 功率 - 最大值:150W 開(kāi)關(guān)能量:- 輸入類(lèi)型:邏輯 柵極電荷:26nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:1.1μs/4.6μs 測(cè)試條件:300V,10A,1 千歐,5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB20N40LZ 功能描述:IGBT 390V 25A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):390V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.6V @ 4V,6A 功率 - 最大值:150W 開(kāi)關(guān)能量:- 輸入類(lèi)型:邏輯 柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:700ns/4.3μs 測(cè)試條件:300V,10A,1 千歐,5V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,20A 功率 - 最大值:167W 開(kāi)關(guān)能量:209μJ(開(kāi)),261μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:115nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:42.5ns/177ns 測(cè)試條件:400V,20A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):90ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB19NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,12A 功率 - 最大值:130W 開(kāi)關(guān)能量:81μJ(開(kāi)),125μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:53nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:25ns/90ns 測(cè)試條件:390V,12A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB19NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.75V @ 15V,12A 功率 - 最大值:125W 開(kāi)關(guān)能量:165μJ(開(kāi)),255μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:30ns/105ns 測(cè)試條件:480V,12A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB STGB40V60F STGB4M65DF2 STGB5H60DF
配單專(zhuān)家

在采購(gòu)STGB20NB32LZ進(jìn)貨過(guò)程中,您使用搜索有什么問(wèn)題和建議?點(diǎn)此反饋

友情提醒:為規(guī)避購(gòu)買(mǎi)STGB20NB32LZ產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn),建議您在購(gòu)買(mǎi)STGB20NB32LZ相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的STGB20NB32LZ信息由會(huì)員自行提供,STGB20NB32LZ內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) (beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號(hào) | 粵ICP備14064281號(hào)