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參數資料
| 型號： | S12PWM8B8CV1 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | MC9S12DT128 Device User Guide V02.09 |
| 中文描述： | MC9S12DT128設備的用戶手冊V02.09 |
| 文件頁數： | 112/138頁 |
| 文件大?。?/td> | 2083K |
| 代理商： | S12PWM8B8CV1 |
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MC9S12DT128 Device User Guide — V02.09
112
The setup time can be ignored for this operation.
A.3.1.4 Mass Erase
Erasing a NVM block takes:
The setup time can be ignored for this operation.
A.3.1.5 Blank Check
The time it takes to perform a blank check on the Flash or EEPROM is dependant on the location of the
first non-blank word starting at relative address zero. It takes one bus cycle per word to verify plus a setup
of the command.
Table A-11 NVM Timing Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
D External Oscillator Clock
f
NVMOSC
0.5
50
1
NOTES
:
1. Restrictions for oscillator in crystal mode apply!
2. Minimum Programming times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP
and maximum bus frequency
f
bus
.
MHz
2
D Bus frequency for Programming or Erase Operations
f
NVMBUS
1
MHz
3
D Operating Frequency
f
NVMOP
150
200
kHz
4
P Single Word Programming Time
t
swpgm
46
2
74.5
3
3. Maximum Erase and Programming times are achieved under particular combinations of f
NVMOP
and bus frequency f
bus
.
Refer to formulae in Sections
A.3.1.1 - A.3.1.4
for guidance.
4. Row Programming operations are not applicable to EEPROM
5. Minimum Erase times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP
.
6. Minimum time, if first word in the array is not blank
7. Maximum time to complete check on an erased block
μ
s
5
D Flash Row Programming consecutive word
4
t
bwpgm
20.4
2
31
3
μ
s
6
D Flash Row Programming Time for 32 Words
4
t
brpgm
678.4
2
1035.5
3
μ
s
7
P Sector Erase Time
t
era
20
5
26.7
3
ms
8
P Mass Erase Time
t
mass
100
5
133
3
ms
9
D Blank Check Time Flash per block
t
check
11
6
32778
7
t
cyc
10
D Blank Check Time EEPROM per block
t
check
11
6
1034
7
t
cyc
t
era
4000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
mass
20000
1
f
NVMOP
---------------------
≈
t
check
location t
cyc
10 t
cyc
+
≈
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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| S12Q | 功能描述:整流器 1200V 12A Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S12QR | 功能描述:整流器 1200V 12A REV Leads Std. Recovery RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| S12R15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1 AND 2 WATT DC/DC CONVERTERS |
| S12SCIV2 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MC9S12DT128 Device User Guide V02.09 |
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