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參數(shù)資料
| 型號： | S908QC16CDRER |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO28 |
| 封裝： | 4.40 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, MO-153AE, TSSOP-28 |
| 文件頁數(shù)： | 205/274頁 |
| 文件大?。?/td> | 3183K |
| 代理商： | S908QC16CDRER |
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Memory
MC68HC908QC16 MC68HC908QC8 MC68HC908QC4 Data Sheet, Rev. 5
36
Freescale Semiconductor
2.6 FLASH Memory (FLASH)
The FLASH memory is intended primarily for program storage. In-circuit programming allows the
operating program to be loaded into the FLASH memory after final assembly of the application product.
It is possible to program the entire array through the single-wire monitor mode interface. Because no
special voltages are needed for FLASH erase and programming operations, in-application programming
is also possible through other software-controlled communication paths.
This subsection describes the operation of the embedded FLASH memory. The FLASH memory can be
read, programmed, and erased from the internal VDD supply. The program and erase operations are
enabled through the use of an internal charge pump.
The minimum size of FLASH memory that can be erased is 64 bytes; and the maximum size of FLASH
memory that can be programmed in a program cycle is 32 bytes (a row). Program and erase operations
are facilitated through control bits in the FLASH control register (FLCR). Details for these operations
appear later in this section.
NOTE
An erased bit reads as a 1 and a programmed bit reads as a 0. A security
feature prevents viewing of the FLASH contents.(1)
2.6.1 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory for either program or
erase operation. It can only be set if either PGM =1 or ERASE =1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is interlocked with the PGM bit
such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
1. No security feature is absolutely secure. However, Freescale’s strategy is to make reading or copying the FLASH difficult
for unauthorized users.
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
= Unimplemented
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC908QC16CDRE | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO28 |
| MC908QC16CDTE | 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO16 |
| S912XDP512F0VPV | 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| MC312XDP512J1MPVR | 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| MC912XDP512F0MPVR | 16-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S908QC16CDSE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MCU 8BIT HC08 CISC 16KB FLASH 3.3V/5V 20TSSOP - Bulk |
| S908QC16CDSER | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MCU 8BIT HC08 CISC 16KB FLASH 3.3V/5V 20TSSOP - Tape and Reel |
| S908QC16CDTE | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MCU 8BIT HC08 CISC 16KB FLASH 3.3V/5V 16TSSOP - Bulk |
| S908QC16CDTER | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MCU 8BIT HC08 CISC 16KB FLASH 3.3V/5V 16TSSOP - Tape and Reel |
| S908QC16CDXER | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
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