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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SDB10S30 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Silicon Carbide Schottky Diode |
| 中文描述： | 碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 243K |
| 代理商： | SDB10S30 |
KSD-3031-000
3
SDB10A40
Electrical Characteristic Curves
Fig. 1 Forward Characteristics
00
Fig. 4 I
F
– P
F
Forword Power dissipation
Fig. 3 Total Capacitance
Fig. 2 Reverse Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDB110Q | Schottky Barrier Diode |
| SDB130B | Schottky Barrier Diode |
| SDB130 | Schottky Barrier Diode |
| SDB2040PI | Schottky Rectifier |
| SDB2301F | Schottky Barrier Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SDB1100G | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:silicon bilateral voltage triggered switch |
| SDB1100S | 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:silicon bilateral voltage triggered switch |
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