參數(shù)資料
型號(hào)： SGW13N60UF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Fast IGBT
中文描述： 13 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 9/9頁(yè)
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代理商： SGW13N60UF
Product Folder - Fairchild P/N SGW13N60UF - Discrete, High Performance IGBT
SGW13N60UFTM
Full Production
$1.15
TO-263(D2PAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGW23N60UF Ultra-Fast IGBT
SH7045F 32-BIT, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144
SHD118536PB 120 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SHL-D55-01 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 30VDC, 3.5mm, PANEL MOUNT
SHL-Q2255 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 10A, 14VDC, 3.5mm, PANEL MOUNT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SGW13N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW13N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW13N60UFTM 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW15N120 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW15N120FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 1200V 30A 198W TO247-3
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