型號: | SI1050X-T1-GE3 |
廠商: | Vishay Siliconix |
文件頁數(shù): | 6/8頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6 |
標準包裝: | 1 |
系列: | TrenchFET® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 8V |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 86 毫歐 @ 1.34A,4.5V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 900mV @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 11.6nC @ 5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 585pF @ 4V |
功率 - 最大: | 236mW |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | SOT-563,SOT-666 |
供應商設(shè)備封裝: | SC-89-6 |
包裝: | 標準包裝 |
其它名稱: | SI1050X-T1-GE3DKR |