| 型號(hào)： | SI1050X-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 8V |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 86 毫歐 @ 1.34A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 11.6nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 585pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 236mW |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-563，SOT-666 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SC-89-6 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱(chēng)： | SI1050X-T1-GE3DKR |