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參數(shù)資料
| 型號： | SI3202-G-GS |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 20/112頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC LINEFEED INTRFC 125V 16SOIC |
| 標準包裝： | 48 |
| 功能： | 用戶線路接口概念（SLIC），CODEC |
| 接口： | GCI，PCM，SPI |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 電源電壓： | 3.13 V ~ 5.25 V |
| 電流 - 電源： | 65mA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 |
| 供應商設備封裝： | 16-SOIC N |
| 包裝： | 管件 |
| 包括： | 電池切換，BORSCHT 功能，DTMF 生成和解碼，F(xiàn)SK 音調(diào)生成，調(diào)制解調(diào)器和傳真音調(diào)檢測 |
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Si3220/25 Si3200/02
Rev. 1.3
15
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 8. Si3200/2 Characteristics
(VDD = 3.13 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for K/F-Grade, –40 to 85 °C for B/G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
TIP/RING Pulldown Transistor Satura-
tion Voltage
VOV
VRING – VBAT (Forward)
VTIP – VBAT (Reverse)
ILIM =22mA, IABIAS =4mA
ILIM =45mA,
3
—
V
TIP/RING Pullup Transistor
Saturation Voltage
VCM
GND – VTIP (Forward)
GND – VRING (Reverse)
ILIM =22mA
ILIM =45mA
3
—
V
Battery Switch Saturation
Impedance
RSAT
15
OPEN State TIP/RING Leakage Current
ILKG
RL =0
100
A
Internal Blocking Diode Forward Voltage
VF
0.8
V
Notes:
1. VAC = 2.5 VPK, RLOAD = 600 .
2. IOUT =60mA.
Table 9. DC Characteristics (VDD, VDD1–VDD4 = 5V)
(VDD, VDD1 – VDD4 = 4.75 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for K/F-Grade, –40 to 85 °C for B/G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input
Voltage
VIH
0.7 x VDD
—5.25
V
Low Level Input
Voltage
VIL
—
0.3 x VDD
V
High Level Output
Voltage
VOH
IO =8mA
VDD – 0.6
—
V
Low Level Output
Voltage
VOL
DTX, SDO, INT, SDITHRU:
IO =–8mA
——
0.4
V
BATSELa/b, RRDa/b,
GPOa/b, TRD1a/b,TRD2a/b:
IO =–40 mA
—
0.72
V
SDITHRU Internal
Pullup Resistance
20
30
—
k
Relay Driver Source
Impedance
ROUT
VDD1–VDD4 =4.75V
IO < 28 mA
—63
—
Relay Driver Sink
Impedance
RIN
VDD1–VDD4 =4.75V
IO < 85 mA
—11
—
Input Leakage Current
IL
——
±10
A
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參數(shù)描述 |
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