參數(shù)資料
型號(hào): Si6423DQ
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述: P溝道12 V的(副)MOSFET的
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代理商: SI6423DQ
Si6423DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72257
S-31419—Rev. A, 07-Jul-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI6423DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 9.5A 1.5W 8.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6423DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 9.5A 1.5W 8.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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