參數(shù)資料
型號： SI6463DQ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 8800 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 97K
代理商： SI6463DQ
Si6463DQ Rev. A(W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
00.5
1
1.5
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
VGS = -4.5V
-2.5V
-2.0V
-1.5V
-3.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
6
12
18
24
30
-ID, DIRAIN CURRENT (A)
VGS = -2.0V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
-2.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
ID = -8.8A
VGS = -4.5V
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.035
1.522.533.5
4
4.5
5
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
ID = -4.4A
TA = 125
oC
TA = 25
oC
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
0.5
1
1.5
2
2.5
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
TA = -55
oC
25
oC
125
oC
VDS = -5V
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
VGS = 0V
TA = 125
oC
25
oC
-55
oC
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
Si6463DQ
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PDF描述
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參數(shù)描述
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