參數(shù)資料
型號(hào): SI7485DP-T1
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類: MOSFETs
英文描述: P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述: P通道20 - V(下局副局長)MOSFET的低閾值
文件頁數(shù): 5/5頁
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代理商: SI7485DP-T1
Si7485DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72275
S-31416—Rev. A, 07-Jul-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7491DP P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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SI7705DN P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
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參數(shù)描述
SI7485DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7485DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.0W 7.3mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7489DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI7489DP_13 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI7489DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 28A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube