參數(shù)資料
型號： SI7664DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 188K
代理商： SI7664DP
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si7664DP
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
1.1
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
1818
A
V
GS
= 10 V, I
D
= 20 A
0.0026
0.0025
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 20 A
0.0029
0.0029
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 15 V, I
D
= 20 A
21
108
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
= 5 A
0.75
0.73
V
Total Gate Charge
Q
g
40
38
Gate-Source Charge
Q
gs
10.5
10.5
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V, I
D
= 20 A
5.5
5.5
nC
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
2
www.vishay.com
Document Number: 74149
S-60180
Rev. A, 13-Feb-06
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PDF描述
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參數(shù)描述
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