型號: | SI7705DN |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
元件分類: | MOSFETs |
英文描述: | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold |
中文描述: | P通道20V(D-S)MOSFET 低閾值 |
文件頁數: | 5/6頁 |
文件大小: | 55K |
代理商: | SI7705DN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SI7705DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.3A 2.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7716ADN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI7716ADN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 16A 27.7W 13.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI7718DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A 52W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |