參數(shù)資料
型號(hào)： SI7840BDP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Si7840BDP vs. Si7840DP Specification Comparison
中文描述： Si7840BDP與Si7840DP規(guī)格比較
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 220K
代理商： SI7840BDP
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2
Document Number: 73244
04-Dec-04
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
1.8
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
684
A
V
GS
= 10 V, I
D
= 16.5 A
0.0070
0.0070
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 13 A
0.0084
0.0084
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 15 V, I
D
= 16.5 A
17
60
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
= 3.7 A, V
GS
= 0 V
0.74
0.75
V
Total Gate Charge
Q
g
13
14
Gate-Source Charge
Q
gs
6
6
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V, I
D
= 16.5 A
3.5
3.5
nC
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7840DP N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7844DP Dual N-Ch MOSFET plus Schottky diode,
SI7850DP N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7856DP HF TH 75 Relay
SI7858DP N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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