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參數資料
| 型號： | SPB80N03S2-03 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管) |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管） |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | SPB80N03S2-03 |
2000-04-20
Page 5
SPP80N03S2-03
SPB80N03S2-03
Preliminary data
Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
SPP80N03S2-03
P
tot
= 300W
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
190
I
D
V
GS [V]
a
a
4.0
b
b
4.2
c
c
4.4
d
d
4.6
e
e
4.8
f
f
5.0
g
g
5.2
h
h
5.4
i
i
10.0
Typ. drain-source-on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPP80N03S2-03
0
20
40
60
80
100
120
A
150
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
m
12
R
D
V
GS
[V] =
c
4.4
c
d
d
4.6
e
e
4.8
f
f
5.0
g
g
5.2
h
h
5.4
i
i
10.0
Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
)
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
5
V
7
V
GS
0
40
80
120
160
200
240
A
320
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
40
80
120
160
A
240
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
S
180
g
f
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SPB80N03S2-03 G | 功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 80A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SPB80N03S203GATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| SPB80N03S2L-03 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB80N03S2L-03 G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPB80N03S2L-03E3045A | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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