參數(shù)資料
型號： SPP80N04S2-04
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： SPP80N04S2-04
2000-04-20
Page 1
SPP80N04S2-04
SPB80N04S2-04
Preliminary data
OptiMOS
=
Power-Transistor
Features
N-Channel
Enhancement mode
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
=
175°C operating temperature
Product Summary
Drain source voltage
Drain-source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
40
3.9
80
V
m
A
Pin 1
G
PIN 2/4
D
PIN 3
S
Type
SPP80N04S2-04
SPB80N04S2-04
Package
P-TO220-3-1 Q67040-S4260
P-TO263-3-2 Q67040-S4257
Ordering Code
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25
°
C,
1)
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current
T
C
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 80 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
Reverse diode d
v
/d
t
I
S
= 80 A,
V
DS
= 32 V, d
i
/d
t
= 200 A/μs,
T
jmax
= 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Symbol
Value
80
80
Unit
A
I
D
I
D puls
320
E
AS
810
mJ
d
v
/d
t
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
W
T
j ,
T
stg
-55...+175
55/175/56
°C
1Current limited by bondwire; with an
R
thJC
= 0.5 K/W the chip is able to carry
I
D
= 204 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB80N04S2L-04 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPP80N04S2L-04 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPC5200CBV400 MPC5200 Hardware Specifications
SPD02N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPD03N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPP80N04S2-H4 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N04S2H4NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N04S2L-03 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N04S2L03NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N06S08 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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