參數(shù)資料
型號(hào)： SPB80N04S2-04
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： SPB80N04S2-04
2000-04-20
Page 5
SPP80N04S2-04
SPB80N04S2-04
Preliminary data
Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
SPP80N04S2-04
P
tot
= 300W
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
190
I
D
V
GS [V]
a
a
4.5
b
b
5.0
c
c
5.3
d
d
5.5
e
e
5.7
f
f
6.0
g
g
10.0
Typ. drain-source-on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPP80N04S2-04
0
20
40
60
80
100
120
A
160
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
13
R
D
V
GS
[V] =
b
5.0
b
c
c
5.3
d
d
5.5
e
e
5.7
f
f
6.0
g
g
10.0
Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
)
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
V
V
GS
9.0
0
40
80
120
160
200
240
A
320
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
20
40
60
80
100 120 140 160
A
200
I
D
0
20
40
60
80
100
120
S
160
g
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP80N04S2-04 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPB80N04S2L-04 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPP80N04S2L-04 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPC5200CBV400 MPC5200 Hardware Specifications
SPD02N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPB80N04S2-H4 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB80N04S2L-03 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB80N04S2L03NT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
SPB80N06S08 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPB80N06S-08 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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