參數(shù)資料
型號(hào)： SPB80N08S2L-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： SPB80N08S2L-07
2003-05-09
Page 4
SPI80N08S2-07
SPP80N08S2-07,SPB80N08S2-07
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
6 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
40
80
120
160
200
240
W
320
SPP80N08S2-07
P
t
2 Drain current
I
D
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
10 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
A
90
SPP80N08S2-07
I
D
4 Max. transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SPP80N08S2-07
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
3 Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
= 25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
A
SPP80N08S2-07
I
D
R
D(n
V
D
I
D
1 ms
100 μs
10 μs
t
p = 3.7μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor
SPM3202 SPDT Switch
SPM3205 SPDT Switch
SPM3252 SPDT Switch
SPM3255 Single Power Supply Operation RF Switch MMIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPB80N10L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB80N10L G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SPB80N10LGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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