參數(shù)資料
型號(hào)： SPD03N50C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS™ Power Transistor
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 262K
代理商： SPD03N50C3
2003-10-07
Page 8
SPD03N50C3
Final data
13 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
450
460
470
480
490
500
510
520
530
540
550
560
570
V
600
SPD03N50C3
V
(
14 Avalanche power losses
P
AR
=
f
(
f
)
parameter:
E
AR
=0.2mJ
10
4
10
5
10
6
Hz
f
0
20
40
60
80
100
120
140
160
W
200
P
A
15 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
0
100
200
300
V
500
V
DS
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
Ciss
Coss
Crss
16 Typ.
C
oss
stored energy
E
oss
=
f
(
V
DS
)
0
100
200
300
V
500
V
DS
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
μJ
1.75
E
o
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