參數(shù)資料
型號： SPI80N08S2-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 422K
代理商： SPI80N08S2-07
2003-05-09
Page 5
SPI80N08S2-07
SPP80N08S2-07,SPB80N08S2-07
5 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
V
DS
5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
190
SPP80N08S2-07
P
tot
= 300W
I
D
V
GS [V]
a
a
4.5
b
b
5.0
c
c
5.3
d
d
5.5
e
e
5.8
f
f
6.0
g
g
6.3
h
h
6.5
i
i
6.8
j
j
10.0
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPP80N08S2-07
0
20
40
60
80
100
120
A
160
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
m
26
R
D
V
GS
[V] =
d
5.5
d
e
e
5.8
f
f
6.0
g
g
6.3
h
h
6.5
i
i
6.8
j
j
10.0
7 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
5
V
GS
7
V
0
20
40
60
80
100
120
A
160
I
D
8 Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
20
40
60
80
A
120
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
S
120
g
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor
SPM3202 SPDT Switch
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SPI80N10L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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