參數(shù)資料
型號(hào)： SPP80N04S2-04
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： SPP80N04S2-04
2000-04-20
Page 6
SPP80N04S2-04
SPB80N04S2-04
Preliminary data
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 80 A,
V
GS
= 10 V
SPP80N04S2-04
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
11
R
D
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 250 μA
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
G
98 %
typ.
2 %
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
0
5
10
15
20
V
30
V
DS
2
10
3
10
4
10
5
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 80 μs
3
10
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
0
10
1
10
2
10
A
SPP80N04S2-04
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB80N04S2L-04 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPP80N04S2L-04 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPC5200CBV400 MPC5200 Hardware Specifications
SPD02N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
SPD03N50C3 Cool MOS™ Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPP80N04S2-H4 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N04S2H4NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N04S2L-03 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N04S2L03NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N06S08 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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