參數(shù)資料
型號： SPP80N08S2-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： SPP80N08S2-07
2003-05-09
Page 2
SPI80N08S2-07
SPP80N08S2-07,SPB80N08S2-07
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
0.3
0.5
K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
SMD version, device on PCB:
-
-
62
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
3)
-
-
-
-
62
40
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
=0V,
I
D
=1mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
=250μA
Zero gate voltage drain current
V
(BR)DSS
75
-
-
V
V
GS(th)
2.1
3
4
V
DS
=75V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C
V
DS
=75V,
V
GS
=0V, Tj=125°C
2)
Gate-source leakage current
I
DSS
-
-
0.01
1
1
100
μA
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
Drain-source on-state resistance
4)
I
GSS
-
1
100
nA
V
GS
=10V,
I
D
=66A
V
GS
=10,
I
D
=66A, SMD version
R
DS(on)
-
-
5.7
5.4
7.4
7.1
m
1Current limited by bondwire ; with an
R
thJC
= 0.5K/W the chip is able to carry
I
D
= 132A at 25°C, for detailed
information see app.-note ANPS071E available at
www.infineon.com/optimos
2Defined by design. Not subject to production test.
3Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
4Diagrams are related to straight lead versions
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPB80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor
SPM3202 SPDT Switch
SPM3205 SPDT Switch
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPP80N08S2-07 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220
SPP80N08S2L-07 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPP80N08S2L-07 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
SPP80N08S2L07NK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP80N10L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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