參數資料
型號： SPP80N08S2-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數： 3/8頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： SPP80N08S2-07
2003-05-09
Page 3
SPI80N08S2-07
SPP80N08S2-07,SPB80N08S2-07
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
g
fs
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS(on)max
,
I
D
=80A
51
102
-
S
Input capacitance
Output capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
4610
1000
6130 pF
1330
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
-
-
416
17
620
26
V
DD
=40V,
V
GS
=10V,
I
D
=80A,
R
G
=2.2
ns
Rise time
-
34
52
Turn-off delay time
Fall time
-
-
56
33
85
50
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
Gate to drain charge
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=60V,
I
D
=80A
-
-
28
77
37
116
nC
Gate charge total
V
DD
=60V,
I
D
=80A,
V
GS
=0 to 10V
-
138
180
Gate plateau voltage
V
(plateau)
V
DD
=60V,
I
D
=80A
-
5.5
-
V
Reverse Diode
Inverse diode continuous
forward current
I
S
T
C
=25°C
-
-
80
A
Inv. diode direct current, pulsed
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
-
-
320
V
GS
=0V,
I
F
=80A
-
0.9
1.3
V
V
R
=40V,
I
F=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100A/μs
-
-
110
470
140
590
ns
nC
相關PDF資料
PDF描述
SPB80N08S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N08S2L-07 OptiMOS Power-Transistor
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相關代理商/技術參數
參數描述
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