參數(shù)資料
型號： SPP80N08S2L-07
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 422K
代理商： SPP80N08S2L-07
2003-05-09
Page 6
SPI80N08S2-07
SPP80N08S2-07,SPB80N08S2-07
9 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 66 A,
V
GS
= 10 V
SPP80N08S2-07
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
m
30
R
D
typ
98%
10 Typ. gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j)
parameter:
V
GS
=
V
DS
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
4
V
G
250 μA
1.25 mA
11 Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
=0V,
f
=1 MHz
0
5
10
15
20
V
30
V
DS
2
10
3
10
4
10
5
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
12 Forward character. of reverse diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 80 μs
3
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
0
10
1
10
2
10
A
SPP80N08S2-07
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
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PDF描述
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SPP80P06P 功能描述:MOSFET P-CH 60V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPP80P06P H 功能描述:MOSFET SIPMOS Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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