參數(shù)資料
型號： SPU08N10
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大小： 121K
代理商： SPU08N10
SPD 08N10
Data Sheet
8
05.99
Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D puls
= 8.4 A
SPD08N10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
nC
19
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Avalanche Energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 8.4 A,
V
DD
= 25 V
R
GS
= 25
20
40
60
80
100
120
C
160
T
j
0
5
10
15
20
25
mJ
35
E
A
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
C
180
T
j
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
V
120
SPD08N10
V
(
相關PDF資料
PDF描述
SPD09N05 SIPMOS PowerTransistor
SPU09N05 SIPMOS PowerTransistor
SPD09P06PL BNC Adapter; Body Style:Bulkhead Adapter, Jack-Jack; Contact Termination:Clamp/Solder; RG Cable Type:58, 59, 179, 316 RoHS Compliant: Yes
SPU09P06PL BNC Adapter; Body Style:Straight Bulkhead Adapter, Jack-Jack; Contact Termination:Clamp/Solder; RG Cable Type:58, 59, 179, 316 RoHS Compliant: Yes
SPD10N10 CAP 470PF 200V 10% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SPU08P06P 功能描述:MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPU09N05 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS PowerTransistor
SPU09P06PL 功能描述:MOSFET P-CH 60V 9.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPU09P06PLXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
SPU100 制造商:OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION 功能描述:IMAGE PROCESS BOARD
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