參數(shù)資料
型號(hào)： SRF441
英文描述： N-Channel Enhancement Mode RF Power MOSFET(125W-50V-13.56MHz)(N溝道增強(qiáng)型射頻功率MOS場效應(yīng)管(125W-50V-13.56MHz))
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式射頻功率MOSFET（功率為125 - 50V - 13.56）（不適用溝道增強(qiáng)型射頻功率馬鞍山場效應(yīng)管（為125W - 50V - 13.56））
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 16K
代理商： SRF441
Characteristic
Input Capacitance
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
f = 1MHz
Min.
Typ.
755
Max.
900
Unit
Characteristic
Common source Amplifier Power Gain
Test Conditions
f = 13.56MHz
Min.
18
Typ.
21
Max.
Unit
dB
SRF440
SRF441
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
Prelim. 5/98
63
%
No Degradation in Output
Power
155
215
55
90
C
iss
C
oss
C
rss
Characteristic
Junction to Case
Min.
Typ.
Max.
0.75
Unit
°C/W
R
θ
JC
THERMAL CHARACTERISTICS
1) Pulse Test: Pulse Width < 380
μ
S , Duty Cycle < 2%
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
pF
CAUTION — Electrostatic Sensitive Devices. Anti-Static Procedures Must Be Followed.
Characteristic
Drain – Source Breakdown Voltage
Test Conditions
V
GS
= 0V , I
D
= 250
μ
A
V
DS
= V
DSS
V
DS
= 0.8V
DSS
, T
C
= 125°C
V
GS
= ±30V , V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 200mA
V
DS
= 10V, I
D
=5.5A
I
D(ON)
= 10A V
GS
= 10V
Min.
150
Typ.
Max.
Unit
V
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(TH)
g
fs
V
DS(ON)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
GS
= 0V)
Gate – Source Leakage Current
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
On State Drain Voltage
1
250
1000
±100
2
5
4
5
6
μ
A
nA
V
S
V
STATIC ELECTRICAL RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
G
ps
η
ψ
Drain Efficiency
Electrical Ruggedness VSWR 20:1
I
DQ
= 200mA
Pout= 125W
V
DD
= 50V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SRF442 N-Channel Enhancement Mode RF Power MOSFET(200W-100V-13.56MHz)(N溝道增強(qiáng)型射頻功率MOS場效應(yīng)管(200W-100V-13.56MHz))
SRF443 N-Channel Enhancement Mode RF Power MOSFET(200W-100V-13.56MHz)(N溝道增強(qiáng)型射頻功率MOS場效應(yīng)管(200W-100V-13.56MHz))
SRF444 N-Channel Enhancement Mode RF Power MOSFET(300W-300V-13.56MHz)(N溝道增強(qiáng)型射頻功率MOS場效應(yīng)管(300W-300V-13.56MHz))
SRF445 N-Channel Enhancement Mode RF Power MOSFET(300W-300V-13.56MHz)(N溝道增強(qiáng)型射頻功率MOS場效應(yīng)管(300W-300V-13.56MHz))
SRF449A N-Channel Enhancement Mode RF Power MOSFET(150W-150V-100MHz)(N溝道增強(qiáng)型射頻功率MOS場效應(yīng)管(150W-150V-100MHz))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SRF4427 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SRF4427 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
SRF4427G 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:RF AND MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS GENERAL RF AMPLIFIER APPLICATIONS
SRF4427GR1 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.5 W 18 V 1.3 GHz Surface Mount RF Microwave DiscreteTransistor - SOIC-8
SRF4532 制造商:BOURNS 制造商全稱:Bourns Electronic Solutions 功能描述:Common Mode Chip Inductors
SRF4532-101Y 功能描述:共模濾波器/扼流器 100uH 200mA 2000-5000mohms 10MHz RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*