參數(shù)資料
型號(hào)： SSF10N60A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Power MOSFET（6.9A，600V，0.8Ω）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流6.9A, 漏源電壓600V，導(dǎo)通電阻0.8Ω）)
中文描述： 6.9 A, 600 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 256K
代理商： SSF10N60A
N-C HANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
SSF10N60A
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 1 5 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 50 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted )
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
20
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
40
60
80
0
5
10
V
DS
= 480 V
V
DS
= 300 V
V
DS
= 120 V
@ Notes : I
D
= 10.0 A
V
G
0
10
20
30
40
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSF10N80A N-Channel Power MOSFET（6.5A，800V，0.95Ω）(N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流6.5A, 漏源電壓800V，導(dǎo)通電阻0.95Ω）)
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SSF45N20A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247VAR
SSF4N80AS TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-247VAR
SSF4N90AS TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-247VAR
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參數(shù)描述
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SSF-110-02-S-D 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SCKT STRP SKT 20 POS 2.54MM SLDR ST SMD - Bulk
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