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參數(shù)資料
| 型號： | SST112-T1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR J-FET SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管的J - FET的SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | SST112-T1 |
J/SST111 Series
Siliconix
S-52424—Rev. D, 14-Apr-97
5
Typical Characteristics (Cont’d)
–
I
D
Output Characteristics
100
0
10
80
60
40
20
0
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
2
4
6
8
Common-Gate Output Admittance
100
10
1
0.1
100
1000
200
500
(
V
DG
= 10 V
I
D
= 10 mA
T
A
= 25 C
f – Frequency (MHz)
–
I
D
Output Characteristics
40
0
1.0
32
24
16
8
0
V
DS
– Drain-Source Voltage (V)
0.2
0.4
0.6
0.8
–
I
D
Transfer Characteristics
100
0
–5
80
60
40
20
0
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–1
–2
–3
–4
g
og
b
og
V
GS
= 0 V
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
V
GS(off)
= –4 V
V
GS(off)
= –4 V
V
GS
= 0 V
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
V
GS(off)
= –4 V
T
A
= –55 C
25 C
125 C
V
DS
= 20 V
Switching Time Test Circuit
J/SST111
J/SST112
J/SST113
V
GS(L)
–12 V
–7 V
–5 V
R
L
*
800
1600
3200
I
D(on)
12 mA
6 mA
3 mA
*Non-inductive
Input Pulse
Sampling Scope
Rise Time < 1 ns
Fall Time < 1 ns
Pulse Width 100 ns
PRF 1 MHz
Rise Time 0.4 ns
Input Resistance 10 M
Input Capacitance 1.5 pF
51
51
1 k
V
GS
Scope
V
DD
R
L
OUT
V
GS(H)
V
GS(L)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST113-T1 | TRANSISTOR J-FET SOT-23 |
| SST177-T1 | TRANSISTOR J-FET SOT-23 |
| SST1A1000B | Analog IC |
| SST1A800B | Analog IC |
| SST1A900 | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST112-T1-E3 | 功能描述:JFET 55V 5mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST113 | 功能描述:JFET 55V 2mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| SST113 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANSISTOR JFET N SOT-23 |
| SST113_SOT-23 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:N-CHANNEL JFET |
| SST1130 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
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