參數(shù)資料
型號： STB20NE06T4
英文描述： 0.5A HOLD,1.0A TRIP,60V
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 20A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 84K
代理商： STB20NE06T4
3/8
STB20NE06L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limitedby safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, Figure 3)
I
D
= 10 A
V
GS
= 5 V
20
45
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
=48V I
D
=20A V
GS
=5V
14
8
4
20
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
r
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 48 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, Figure 5)
I
D
= 20 A
V
GS
= 5 V
10
25
42
ns
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
20
80
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 20 A
V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
=20 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
°
C
65
130
4
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Thermal Impedance
Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB20NE06 N - CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A D2PAK STripFET] POWER MOSFET
STB20NM60 N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
STB20NM60-1 N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
STB20NM60T4 N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
STB20NM50T4 N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
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參數(shù)描述
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STB20NK50Z-S 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
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