型號: | STB20NM60-1 |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
中文描述: | N溝道600V的- 0.25ohm - 20A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK的MDmesh?功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大小: | 84K |
代理商: | STB20NM60-1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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STB20NM60T4 | N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
STB20NM50T4 | N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
STB20NM50 | N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
STB20NM50-1 | N-CHANNEL 500V - 0.20ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET |
STB40NF10LT4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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STB20NM60A-1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STB20NM60A-1 - Rail/Tube |
STB20NM60D | 功能描述:MOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB20NM60T4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB20NM65N | 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB20PF75 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:P-CHANNEL 75V - 0.10 з - 20A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET |