參數(shù)資料
型號(hào): STB20NM60-1
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
中文描述: N溝道600V的- 0.25ohm - 20A條TO-220/FP/D2PAK/I2PAK的MDmesh?功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
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代理商: STB20NM60-1
STB20NE06L
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Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 3:
Switching TimesTest Circuits ForResistive
Load
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB20NM60T4 N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
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STB40NF10LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-263AB
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參數(shù)描述
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STB20NM60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB20NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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